Diodo de Silicio de Recuperación Estándar 1N1184A, VRMS-70, VF-1.2, IF-35A, Cátodo en Base del DO-5. Networking 01 CV o 3 µA

01 CV o 3 µA (lo que sea mayor)

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Construcción robusta para uso duradero

Seleccionable localmente

Incluye LED de estado del sistema&comma

Diodo de Silicio de Recuperación Estándar 1N1184A, VRMS-70, VF-1.2, IF-35A, Cátodo en Base del DO-5. Networking 01 CV o 3 µACaractersticas Principales Diodo de Silicio de Recuperacin Estndar Tipo: Potencia Estndar 1N1184A Polaridad Estndar: Ctodo en la Base Alta Capacidad de Sobrecarga No Sensitivo a Descargas Electrostticas (ESD) Temperatura de Operacin: 55 a +150 C Especificaciones Elctricas Voltaje Repetitivo de Pico Inverso: 100 V Voltaje Inverso RMS: 70 V Voltaje de Bloqueo DC: 100 V Corriente Directa Continua: 35 A Corriente de Sobrecarga: 595 A (t = 8. 3 ms,